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您正在寻找一颗能扛起大电流重任，同时又能将能量损耗降到最低的功率开关吗？STD60N55F3正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有55V的耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的8.5毫欧超低导通电阻，能大幅减少导通状态下的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

它基于STripFET III先进技术，不仅静态性能出色，动态表现同样卓越。优化的栅极电荷设计让开关过程更快、更干净，有效降低开关损耗，提升系统整体能效。无论是面对工业环境的温度波动，还是高频率的开关需求，STD60N55F3都能提供稳定可靠的性能，让您的设计轻松应对功率密度与效率的双重挑战。

• 型号:STD60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD60N55F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。