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STQ3N45K3-AP 零件图片(仅供参考)

STQ3N45K3-AP
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STQ3N45K3-AP 规格参数

还在为高压小功率开关电路的选择而犹豫吗?让STQ3N45K3-AP来为您轻松化解难题!这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET,拥有高达450V的击穿电压和600mA的电流处理能力,能为您的高压侧开关、电源转换或电机驱动应用提供一个极其高效、可靠的解决方案。

它凭借低至3.8欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷,显著降低了开关损耗和驱动需求,让您的系统运行更高效、发热更少。其坚固的TO-92封装和宽泛的工作温度范围,确保了在各种环境下的长期稳定运行。选择它,就是为您的设计注入了ST意法半导体的品质与性能基因,让产品开发事半功倍。

  • 型号:STQ3N45K3-AP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-92-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 450V 600MA TO92-3
  • 包装:带盒(TB)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):450 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.8 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):150 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-92-3
  • 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
  • STQ3N45K3-AP,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STQ3N45K3-AP 基本参数:

  • 电子零件型号:STQ3N45K3-AP
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 450V 600MA TO92-3
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STQ3N45K3-AP的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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