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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且损耗极低的功率开关吗？STGWA30M65DF2正是您的理想之选。这颗650V/30A的沟槽场截止IGBT，拥有仅2V的低导通压降，能显著降低您系统中的导通损耗，提升整体能效。

它能让您轻松应对高达258W的功率处理需求，其优化的开关特性（低开关能量与栅极电荷）确保了快速、干净的开关动作，有助于减小电磁干扰并提高开关频率。宽广的-55°C至175°C工作结温范围，赋予了它卓越的环境适应性，确保您的工业电机驱动、UPS或光伏逆变器项目在各种条件下都稳定可靠，高效运行。

• 型号:STGWA30M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:258 W
• 开关能量:300J（导通），960J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:80 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA30M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。