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还在为寻找一颗能兼顾高耐压、大电流与低损耗的功率开关而费神吗？让STDLED625来为您解决难题！这颗N沟道MOSFET拥有620V的漏源电压和5A的连续漏极电流，为您的高功率LED驱动、电源转换等应用提供强劲而稳定的核心动力。

它最大的魅力在于能让您的设计事半功倍。仅1.6欧姆的低导通电阻，显著降低了导通损耗，让系统运行更凉爽、能效更高。同时，优化的栅极电荷和输入电容，让驱动变得异常轻松，帮助您简化电路设计，提升整体响应速度。选择它，就是选择了一条通往高效、可靠产品设计的捷径。

• 制造商产品型号：STDLED625
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 5A DPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：DPAK
• STDLED625，ST（意法半导体）产品一站式供应商。