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还在寻找能同时征服高效率、高频率和高温挑战的功率开关吗？SCTH90N65G2V-7正是为您而来的答案。这颗由ST意法半导体打造的N通道碳化硅FET，集650V耐压、90A大电流与极低的26毫欧导通电阻于一身，旨在让您的电源转换和电机驱动系统突破性能天花板。

它采用先进的SiCFET技术，能显著降低开关损耗，让您轻松实现更高的工作频率，从而缩小磁性元件体积，提升系统功率密度。其高达175°C的结温工作能力和优异的散热封装（H2PAK-7），确保了在严苛环境下的长期稳定运行。选择SCTH90N65G2V-7，就是为您的产品选择了更高的效率、更紧凑的设计和更可靠的未来。

• 型号:SCTH90N65G2V-7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-7
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 50A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:157 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-7
• 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
• SCTH90N65G2V-7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。