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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且保持超低损耗的功率开关吗？STGWA25M120DF3正是为此而来。这颗1200V/50A的沟槽型场截止IGBT，凭借仅2.3V的低导通压降，能显著降低您系统的导通损耗，让电能转换更高效，散热设计更轻松。

它拥有高达375W的功率处理能力和优异的开关特性（开启延迟28ns），让您的电机驱动、太阳能逆变器或UPS系统响应更迅捷，运行更稳定。其坚固的TO-247封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C TJ），确保它在各种严苛环境下都能可靠工作，是您提升产品性能与可靠性的强大引擎。

• 型号:STGWA25M120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:850J（导通），1.3mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:85 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/150ns
• 测试条件:600V，25A，15欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):265 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA25M120DF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。