我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STI25NM60ND现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压大电流开关应用中的效率与发热问题烦恼吗？让STI25NM60ND来为您分忧！这颗基于ST先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和21A的电流处理能力，能轻松成为您开关电源、电机驱动或PFC电路中的高效“能量阀门”。

它的核心魅力在于极低的160毫欧导通电阻和优化的动态特性，这直接意味着更少的能量损耗和更低的温升，让您的系统运行更高效、更凉爽。坚固的I2PAK封装和高达150°C的结温工作能力，确保了它在各种严苛环境下的长期稳定表现，为您产品的可靠性保驾护航。

• 型号:STI25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI25NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。