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您是否正在寻找一颗能显著提升开关电源效率、同时兼顾紧凑布局的功率开关器件？STH290N4F6-6正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，采用先进的H2PAK-6封装，专为60V应用场景优化，旨在让您的设计更高效、更可靠。

它能为您做什么？核心在于其卓越的功率处理能力与热性能。它让您在电机控制、DC-DC转换或电源管理模块中，轻松实现更低的导通损耗和更快的开关速度，从而提升整体系统效率。其坚固的封装设计确保了出色的散热表现，即使在严苛的工作条件下也能保持稳定运行，有效延长产品寿命，简化您的热管理设计难题。

• 制造商产品型号：STH290N4F6-6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 60V H2PAK-6
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• STH290N4F6-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。