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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STF24N60M6成为您的高效能量开关！这颗采用先进MDmesh M6技术的600V N沟道MOSFET，能轻松驾驭高达17A的连续电流，显著降低导通与开关损耗，直接为您带来更低的温升和更高的系统能效。

它让您在设计服务器电源、工业驱动或UPS等应用时更加得心应手。优异的电气性能结合可靠的TO-220FP封装，确保您的产品在追求高功率密度的同时，依然保持稳定可靠的运行。选择它，就是选择为您的核心设计注入一份强劲而持久的动力。

• 型号:STF24N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF24N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。