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还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热问题烦恼吗？STF11N50M2正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的500V N沟道MOSFET，集成了MDmesh II Plus技术的精髓，旨在让您的功率设计事半功倍。

它拥有8A的连续漏极电流能力和低至530毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升整体能效。同时，优化的栅极电荷（仅12nC @10V）和输入电容，让开关速度更快、损耗更低，帮助您轻松实现更高频率的紧凑设计。其坚固的TO-220FP封装和25W的功率耗散能力，确保了出色的热管理，让系统运行更稳定、更持久。

• 型号:STF11N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:395 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF11N50M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。