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您正在寻找一颗能扛起大功率重任，同时保持高效与可靠的核心开关器件吗？STGW80H65DFB正是为您而来。这颗650V/120A的沟槽型场截止IGBT，拥有仅2V的低导通压降和超快的开关速度，能显著降低您系统中的导通与开关损耗，从而提升整体能效，让您的电源、电机驱动或逆变器产品运行得更高效、更凉爽。

它集成了高达469W的功率处理能力和240A的脉冲电流能力，让您的设计拥有充足的性能裕度，轻松应对浪涌与过载挑战。其坚固的TO-247封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了在各类严苛环境下的长期稳定运行。选择STGW80H65DFB，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的动力核心。

• 型号:STGW80H65DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:414 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
• 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• STGW80H65DFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。