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您正在为高功率应用寻找一颗既强劲又高效的“心脏”吗？STGW80H65DFB-4正是您的理想之选。这颗650V/80A的沟槽场截止IGBT，能轻松驾驭工业驱动、光伏逆变等高要求场景，其低至2V的饱和压降和优异的开关特性，直接为您带来更低的损耗和更高的系统效率。

它能让您的设计更加游刃有余。高达469W的功率处理能力和240A的脉冲电流能力，提供了充足的性能余量，确保系统稳定可靠。同时，优化的开关能量（开通2.1mJ，关断1.5mJ）有助于降低高频运行时的发热，让您的电源或驱动设备运行更凉爽、寿命更长久。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STGW80H65DFB-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:414 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
• 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-4
• 供应商器件封装:TO-247-4
• STGW80H65DFB-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。