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您正在寻找一颗能同时驾驭高功率、高效率和卓越可靠性的“心脏”吗？STW88N65M5正是为此而来。这颗基于ST先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和高达84A的电流承载能力，让您在设计大功率开关电源、电机驱动或光伏逆变器时信心十足。

它的核心魅力在于极致的效率提升。仅29毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，将更多电能高效输出。同时，优化的开关特性帮助您轻松降低开关损耗，从而提升整机效率，并简化散热设计。无论是追求能源之星认证，还是需要应对严苛的工业环境，它都能让您的产品性能脱颖而出，运行更稳定、更凉爽。

• 型号:STW88N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:204 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8825 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW88N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。