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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高功率和高可靠性的功率开关吗？STGW75H65DFB2-4正是为您而来。这颗基于先进沟槽型场截止技术的650V/115A IGBT，旨在让您的电源和电机驱动设计事半功倍。

它拥有极低的导通压降（2V @ 75A）和优化的开关特性，能显著降低系统损耗，提升整体能效。高达357W的功率处理能力和宽广的工作温度范围，确保它在变频器、UPS、电焊机等严苛应用中稳定运行，让您的产品性能更强劲，寿命更持久。

选择它，就是为您的核心电路选择了一个高效、可靠的动力心脏，轻松应对各种中高功率挑战。

• 型号:STGW75H65DFB2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 115A TO-247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:115 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A
• 功率 - 最大值:357 W
• 开关能量:992J（导通），766J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:207 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/121ns
• 测试条件:400V，75A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):88 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-4
• 供应商器件封装:TO-247-4
• STGW75H65DFB2-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。