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您正在为寻找一颗既能承载大电流，又拥有极低损耗，还能节省宝贵PCB空间的功率开关而烦恼吗？STLD125N4F6AG正是为您量身打造的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了120A的高电流处理能力与仅3毫欧的超低导通电阻，能显著降低您电源转换或电机驱动电路中的导通损耗，直接提升系统效率，让热量管理变得更轻松。

它采用创新的PowerFlat封装，在极小的占板面积下实现了双面散热，让您在设计高功率密度产品时游刃有余。无论是用于提升电动工具的爆发力，还是优化服务器电源的能效，STLD125N4F6AG都能以卓越的电气性能和热性能，助您打造出更高效、更紧凑、更具竞争力的下一代产品。

• 型号:STLD125N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）双面
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）双面
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• STLD125N4F6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。