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零件图片(仅供参考)
规格参数
制造商产品型号:STLD125N4F6AG制造商:STMicroelectronics描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:STripFET? F6零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):40V25°C时电流-连续漏极(Id):120A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3 毫欧 @ 75A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):91nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5600pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):130W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:PowerFlat?(5x6)双面STLD125N4F6AG,ST(意法半导体)产品一站式供应商。