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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任的功率开关吗？STP20NM50FP正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有550V的漏源电压和20A的连续电流能力，让您能轻松驾驭开关电源、电机驱动等应用中的核心功率转换环节。

它的魅力在于极致的效率。低至250毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，显著降低了开关损耗和导通损耗，这意味着您的系统可以运行得更高效、发热更少。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发新一代高可靠性电源，它都能提供强大的性能支持，助您简化设计，稳健达成目标。

• 型号:STP20NM50FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP20NM50FP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。