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还在寻找那颗能让您的电源或电机驱动方案既强劲又高效的“心脏”吗？STGW60H65DFB-4正是您期待的答案。这颗650V/80A的沟槽场截止IGBT，凭借其低至2V的Vce(sat)和优化的开关特性，能显著降低系统的导通与开关损耗，直接将更高的效率转化为产品的节能优势和市场竞争力。

它能让您轻松应对工业驱动、光伏逆变、UPS等应用中的高功率密度挑战。高达175°C的结温工作能力和TO-247-4的坚固封装，确保了在严苛环境下的长期稳定运行，让您的设计更可靠，寿命更长久。选择它，就是为您的核心功率级注入一剂高效可靠的强心针。

• 型号:STGW60H65DFB-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:346J（导通），1.161mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:306 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/261ns
• 测试条件:400V，60A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):60 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-4
• 供应商器件封装:TO-247-4
• STGW60H65DFB-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。