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还在为电源效率难以突破而烦恼吗？STD155N3LH6正是为您的高效能源转换设计而来。这颗采用先进DeepGATE技术的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在40A电流、10V驱动下仅3毫欧。这意味着它能将导通损耗降至极低，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为优化开关性能而生。极低的栅极电荷（仅80nC @ 5V）和优化的电容特性，让开关速度更快，显著减少开关过程中的能量损失。无论是用于同步整流、负载开关，还是电机控制，它都能让您轻松实现更高的功率密度和更出色的整体能效，同时其坚固的D2PAK封装确保了卓越的功率耗散能力与可靠性。

• 型号:STD155N3LH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD155N3LH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。