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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STGW60H60DLFB来为您解决！这颗600V/80A的沟槽场截止型IGBT，是ST意法半导体为您带来的高效能解决方案。它凭借仅2V的低导通压降和优异的开关特性，能显著降低您系统中的导通损耗和开关损耗，轻松将最大375W的功率高效、可靠地传递出去。

它就像您系统里的“高效能引擎”，让您的电机驱动更强劲、更安静，让您的电源转换更迅速、更稳定。其坚固的TO-247封装和宽温度工作范围，确保了在各种复杂环境下的长久耐用。选择它，就是选择让您的产品在性能与可靠性上赢得关键优势。

• 型号:STGW60H60DLFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:626J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:306 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/160ns
• 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• STGW60H60DLFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。