我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGW40N120KD现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持敏捷开关响应的功率开关器件吗？STGW40N120KD正是为此而来。这颗来自ST意法半导体的1200V/80A IGBT，集成了PowerMESH技术的精髓，旨在让您的电源转换和电机控制设计事半功倍。

它能让您轻松驾驭高达240W的功率应用，其低至3.85V的饱和压降和优化的开关能量（开3.7mJ，关5.7mJ），直接转化为更低的导通与开关损耗，显著提升系统整体能效。无论是工业驱动、光伏逆变还是UPS系统，其坚固的TO-247封装和宽工作温度范围都确保了卓越的可靠性与稳定性，助您构建更高效、更耐用的电力电子核心。

• 型号:STGW40N120KD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 80A TO-247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3.85V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:240 W
• 开关能量:3.7mJ（导通），5.7mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:126 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:48ns/338ns
• 测试条件:960V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):84 ns
• 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW40N120KD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。