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STP12N65M2 零件图片(仅供参考)

STP12N65M2
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STP12N65M2 规格参数

还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“心脏”吗?STP12N65M2功率MOSFET正是您的理想答案。它专为应对高压、高电流的开关应用而优化,让您轻松驾驭高达650V的电压和12A的电流,显著降低导通损耗,提升整体系统能效。

这颗芯片能为您做什么?它将成为您高效能量转换的核心。无论是构建紧凑的AC-DC电源,还是驱动精密的电机控制电路,STP12N65M2卓越的开关性能和稳健的可靠性,都能确保您的系统运行更冷静、更持久、响应更迅速。它简化了您的散热设计,助力实现更高的功率密度,让您的产品在性能和体积上双双赢得优势。

  • 制造商产品型号:STP12N65M2
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:POWER MOSFET
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:*
  • 零件状态:有源
  • FET类型:-
  • 技术:-
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 器件封装:-
  • STP12N65M2,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STP12N65M2 基本参数:

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