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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STGW30V60DF为您带来颠覆性的改变！这颗600V/60A的IGBT芯片，集成了ST先进的沟槽型场截止技术，能够轻松驾驭工业电机驱动、太阳能逆变器、UPS电源等高要求应用。

它凭借低至2.3V的导通压降和优化的开关特性（开关能量仅383J/233J），显著降低导通与开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。高达258W的功率处理能力和175°C的最高结温，确保了在恶劣环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的设计注入了高效、可靠与耐久的基因，助您轻松构建性能卓越的下一代电力电子设备。

• 型号:STGW30V60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:258 W
• 开关能量:383J（导通），233J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:163 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):53 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW30V60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。