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还在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且运行冷静高效的功率开关吗？STW20NB50正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有500V的坚固耐压和20A的强大电流吞吐能力，专为 demanding 的工业级应用而设计。

它核心的PowerMESH技术，让您在享受低至250毫欧导通电阻所带来的极低传导损耗时，还能凭借优化的开关特性实现快速、平滑的切换，显著提升整体能效。其TO-247封装确保了出色的散热性能，让您的系统即使在严苛环境下也能稳定运行，轻松应对高功率挑战。

• 型号:STW20NB50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20NB50，ST（意法半导体）产品一站式供应商。