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STGW30H60DFB 零件图片(仅供参考)

STGW30H60DFB
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STGW30H60DFB 规格参数

您正在设计需要处理数百瓦功率的电源或驱动系统吗?STGW30H60DFB正是您理想的功率开关解决方案。这颗600V/60A的IGBT采用先进的沟槽型场截止技术,能为您带来低至2V的导通压降和优异的开关性能,显著降低系统导通与开关损耗,让您的产品效率更高、发热更少。

它不仅拥有高达260W的功率处理能力和120A的脉冲电流能力,应对浪涌游刃有余,其快速的开关特性(开/关延迟时间短)和低栅极电荷需求,更能让您轻松实现更高频率的设计,从而优化磁性元件体积,提升整体功率密度。选择它,就是为您的电力转换核心注入高效与可靠的双重保障。

  • 型号:STGW30H60DFB
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值:260 W
  • 开关能量:383J(导通),293J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:149 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:37ns/146ns
  • 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):53 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247
  • STGW30H60DFB,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGW30H60DFB 基本参数:

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