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您正在设计需要处理高电压、大电流的电源或电机驱动方案吗？STW54NM65ND正是为您而来的高效能N沟道MOSFET。它能轻松应对高达650V的电压和49A的连续电流，其核心价值在于极低的65毫欧导通电阻，这直接意味着更少的能量损耗和发热，让您的系统效率显著提升，运行更加凉爽稳定。

这颗芯片采用意法半导体先进的FDmesh II技术，不仅保证了强大的功率处理能力（高达350W），还优化了开关特性。它能让您的开关电源拥有更快的响应速度和更低的开关损耗，同时简化散热设计。无论是用于工业变频器、UPS不间断电源，还是新能源领域，STW54NM65ND都能让您以更高的可靠性，轻松驾驭苛刻的功率应用挑战。

• 型号:STW54NM65ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 24.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:188 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW54NM65ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。