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STGSH50M120D 零件图片（仅供参考）

STGSH50M120D
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STGSH50M120D 规格参数

  • 型号:STGSH50M120D
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:9-ACEPACK SMIT
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 阵列
  • 描述:IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 配置:半桥
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:69 A
  • 功率 - 最大值:536 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:25 A
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):3152 pF @ 25 V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:无
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:9-PowerSMD
  • 供应商器件封装:9-ACEPACK SMIT
  • STGSH50M120D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。
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STGSH50M120D 基本参数：

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