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还在为高频射频功率放大设计寻找一颗动力澎湃、稳定可靠的核心吗？SD2932B正是您理想的答案。这颗来自ST意法半导体的N通道射频功率MOSFET，专为HF/VHF/UHF频段的高要求应用而优化。

它能让您在175MHz的工作频率下，轻松获得高达300W的纯净功率输出，其16dB的高增益特性确保信号放大高效而精准。凭借125V的高额定电压和40A的强大电流驱动能力，它为您的高功率射频系统提供了坚实的性能基础和宽裕的设计余量，助您轻松构建稳定、高效的通信或能量应用解决方案。

• 型号:SD2932B
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M244
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET 50V M244
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 通道
• 频率:175MHz
• 增益:16dB
• 电压 - 测试:50 V
• 额定电流（安培）:40A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:500 mA
• 功率 - 输出:300W
• 电压 - 额定:125 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:M244
• 供应商器件封装:M244
• SD2932B，ST（意法半导体）产品一站式供应商。