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还在寻找那颗能扛起中功率应用大旗的“心脏”吗？STGP3NB60KD就是您的答案。这颗来自意法半导体的600V/10A IBT，集成了PowerMESH技术的精髓，旨在让您的电源转换和电机驱动设计事半功倍。其2.8V的低导通压降和优异的开关性能（开关能量低至30J/58J），直接为您带来更低的损耗和更高的系统效率。

这意味着，您可以轻松构建出运行更凉爽、响应更迅捷的变频器、UPS或焊接设备。高达150°C的结温工作能力和坚固的TO-220封装，赋予了它出色的可靠性与散热能力，确保您的产品在长期运行中稳定如一。选择它，就是为您的核心功率级选择了一位高效而可靠的伙伴。

• 型号:STGP3NB60KD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 10A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，3A
• 功率 - 最大值:50 W
• 开关能量:30J（导通），58J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:14 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/33ns
• 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):45 ns
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP3NB60KD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。