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还在寻找一颗能扛起大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STL200N45LF7正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有45V的耐压和高达120A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅1.8毫欧），能显著减少功率损耗，让您的电源模块、电机驱动或DC-DC转换器运行得更凉快、更高效。

它采用节省空间的PowerFlat封装，帮助您轻松实现高功率密度设计。优化的栅极电荷和开关特性，让您能够构建出频率更高、响应更快的控制回路。无论是提升现有产品的能效，还是攻克紧凑型大功率设计的新挑战，STL200N45LF7都能让您信心十足，轻松驾驭从工业自动化到高端消费电子的各种严苛应用。

• 制造商产品型号：STL200N45LF7
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F7
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：45V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.8 毫欧 @ 18A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5170pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：PowerFlat（5x6）
• STL200N45LF7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。