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STGP30V60DF 零件图片(仅供参考)

STGP30V60DF
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STGP30V60DF 规格参数

还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗?让STGP30V60DF来为您破局!这颗来自意法半导体的600V/60A IGBT,采用先进的沟槽型场截止技术,能为您带来低至2.3V的导通压降,显著降低导通损耗,让您的电机驱动、UPS或光伏逆变器运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅满足于静态性能,其优化的动态特性同样出色。快速的开关速度(开/关延迟时间短)与较低的开关能量,让您轻松实现更高频率的开关操作,从而减小外围无源器件的体积,助力系统实现更高的功率密度和更紧凑的设计。高达258W的功率处理能力和175°C的最高结温,确保了它在严苛环境下的卓越可靠性与长寿命,是您构建高性能、高可靠性功率平台的理想选择。

  • 型号:STGP30V60DF
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值:258 W
  • 开关能量:383J(导通),233J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:163 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:45ns/189ns
  • 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):53 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • STGP30V60DF,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGP30V60DF 基本参数:

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