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您正在寻找一颗能扛起高功率、高效率重任的“心脏”吗？STGWT40V60DLF正是这样一款利器。它集600V耐压、80A持续电流与283W强大功率于一身，采用先进的沟槽型场截止IGBT技术，能显著降低导通与开关损耗，让您的电机驱动、电源转换系统运行得更冷静、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松应对严苛的工业环境。其低至2.3V的导通压降，直接转化为更低的能耗与发热；优化的开关特性确保快速响应，提升系统整体动态性能。无论是变频器、UPS还是电焊设备，它都能提供稳定可靠的功率开关解决方案，是您构建高性能、高可靠性电力电子系统的坚实基石。

• 型号:STGWT40V60DLF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:283 W
• 开关能量:411J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:226 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns
• 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT40V60DLF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。