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还在为高压电源开关的效率与散热问题烦恼吗？让STDLED656来为您轻松化解！这颗650V/6A的N沟道功率MOSFET，凭借其优异的低导通电阻（仅1.3欧姆@10V），能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体能效，同时减少热管理压力。

它就像您电路中的高效“电子开关”，响应迅速（栅极电荷Qg低至34nC），驱动简单（标准10V驱动电压），让您在设计LED驱动、AC-DC电源或电机控制等高压应用时更加得心应手。其坚固的DPAK封装和高达70W的耗散能力，确保了在严苛环境下的长期稳定运行，是您打造高可靠性产品的信心之选。

• 型号:STDLED656
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:895 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STDLED656，ST（意法半导体）产品一站式供应商。