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在追求极致能效的今天，您的电源或电机驱动设计是否还在为功率损耗和散热问题所困扰？STGP19NC60KD正是为您破解这一难题的利器。这颗600V/35A的IGBT，采用先进的PowerMESH技术，能显著降低导通和开关损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

它拥有低至2.75V的饱和压降和快速的开关速度，能帮助您轻松提升变频器、UPS、电焊机等设备的整体能效。其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了在恶劣环境下的卓越可靠性，让您对产品的长期稳定运行充满信心。

• 型号:STGP19NC60KD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 35A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A
• 功率 - 最大值:125 W
• 开关能量:165J（导通），255J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:55 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns
• 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):31 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP19NC60KD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。