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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性与出色热性能的功率开关吗？STB18N60DM2正是为您而来。这颗采用ST先进MDmesh DM2技术的600V/12A MOSFET，拥有极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗与传导损耗，让您的电源或电机驱动方案轻松实现更高的能效等级与功率密度。

它能让您的设计在更小的空间内释放更大的能量，同时凭借其优异的散热能力和坚固的D2PAK封装，确保系统在高温环境下稳定运行，大幅提升产品的耐用性与市场竞争力。选择它，就是为您的核心动力单元选择了一份高效与可靠的双重保障。

• 型号:STB18N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。