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还在为高压应用中的功率损耗和散热问题头疼吗？让STW12NK90Z来改变这一切！这颗基于意法半导体先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的漏源电压和11A的连续电流能力，能轻松应对严苛的工业环境。

它的核心价值在于为您带来极致的效率提升。仅880毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让电能转换更高效，设备运行更凉爽。同时，优化的开关特性帮助您平衡效率与EMI性能，而TO-247-3封装确保了出色的散热能力。选择它，就是为您的服务器电源、电机驱动或照明系统注入一颗强劲而可靠的“心脏”，让您的产品性能脱颖而出。

• 型号:STW12NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:880 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:152 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW12NK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。