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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和可靠性担忧吗？STDLED524正是为您破解难题的关键。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有高达525V的耐压和4A的电流处理能力，让您在设计LED驱动、开关电源等高压电路时信心十足。

它采用先进的MOSFET技术，在10V驱动下导通电阻极低，能显著减少开关损耗和发热，直接提升您的系统能效和稳定性。DPAK表面贴装封装让您的布局更灵活，生产更高效。选择STDLED524，就是选择让您的产品在性能与可靠性上脱颖而出。

• 制造商产品型号：STDLED524
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 525V 4A DPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：525V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：DPAK
• STDLED524，ST（意法半导体）产品一站式供应商。