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您正在寻找一颗能高效处理600V中压、6A电流的功率开关吗？STGD3NB60FT4正是为您而来。这颗采用PowerMESH技术的IGBT，拥有仅2.4V的低导通压降，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行更凉爽、能效更高。

它具备快速的开关特性（12.5ns开启延迟）和优化的栅极电荷（16nC），让您轻松实现高效率的PWM控制。高达150°C的结温工作能力和坚固的DPAK封装，确保了其在苛刻环境下的长期稳定运行，是您打造可靠、紧凑型功率应用的得力助手。

• 型号:STGD3NB60FT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 6A 60W DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:6 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A
• 功率 - 最大值:60 W
• 开关能量:125J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:16 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:12.5ns/105ns
• 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):45 ns
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• STGD3NB60FT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。