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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STF10NM65N正是为此而生。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和9A的强大电流处理能力，核心使命就是让您的电源转换和电机驱动应用效率更高、运行更稳。

它凭借低至480毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，能显著降低开关过程中的导通损耗和驱动损耗，从而提升整体能效，减少发热。TO-220FP封装确保了出色的散热路径，让您能轻松应对高达25W的功率耗散。无论是构建紧凑的工业电源，还是设计可靠的电机控制器，它都能让您的系统轻装上阵，高效运行。

• 型号:STF10NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。