我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP14NM50N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否希望为您的电源或电机驱动项目找到一颗动力澎湃且高效节能的“心脏”？STP14NM50N正是这样一款专为高压应用而生的N沟道功率MOSFET。它基于意法半导体先进的MDmesh II技术打造，拥有500V的高耐压和12A的强电流处理能力，让您轻松驾驭开关电源、PFC、电机控制等应用场景。

这颗芯片能为您做的，远不止开关那么简单。它极低的导通电阻（仅320毫欧@6A,10V）和优化的动态参数，能显著降低导通与开关损耗，直接提升系统的整体能效，让您的产品更省电、运行更凉爽。同时，其坚固的TO-220封装和宽泛的工作温度范围，确保了长期使用的卓越可靠性，让您的设计无后顾之忧。

• 型号:STP14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP14NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。