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还在寻找那颗能扛起大电流、实现高效开关的“核心动力”吗？STH80N10F7-2正是为您而来的解决方案。它是一款N沟道功率MOSFET，拥有100V耐压和80A的强大电流处理能力，其核心使命就是让您的大功率应用无论是电机驱动、电源转换还是负载开关运行得更冷静、更高效、更可靠。

得益于ST先进的DeepGATE和STripFET VII技术，它在10V驱动下导通电阻极低，能显著减少导通损耗，直接提升系统能效。同时，极低的栅极电荷让开关速度更快、损耗更小，特别适合高频工作场景。采用H2PAK-2封装，散热性能优异，安装便捷，助您轻松应对高功率密度设计的挑战。

• 型号:STH80N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH80N10F7-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。