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还在为电源转换效率的瓶颈而烦恼吗？让STGB15H60DF为您开启高效能新篇章！这颗来自意法半导体的600V/30A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，能够显著降低导通损耗，其低至2V的Vce(on)让能量转换更加高效，直接帮助您提升系统整体能效，减少热量产生。

它集高电流承载能力（脉冲电流达60A）、115W高功率处理能力和快速的开关特性于一身，让您轻松应对电机驱动、UPS和太阳能逆变器等应用中的严苛开关需求。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和坚固的DPak封装，确保了它在各种环境下都能稳定可靠地工作，是您构建高性能、高可靠性功率系统的理想核心选择。

• 型号:STGB15H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:115 W
• 开关能量:136J（导通），207J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:81 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:24.5ns/118ns
• 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):103 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB15H60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。