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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“心脏”吗？STW24N60DM2正是您期待的答案。这颗来自意法半导体FDmesh II Plus家族的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和18A的强大电流处理能力，专为应对严峻的功率挑战而生。

它的核心价值在于让您“鱼与熊掌兼得”。极低的导通电阻（200毫欧@9A,10V）意味着更小的导通损耗，直接为您提升系统效率；而优化的栅极电荷（29nC @10V）则确保了快速、干净的开关动作，有效降低开关损耗和电磁干扰。无论是构建紧凑型服务器电源、驱动工业电机，还是设计高可靠性的UPS系统，STW24N60DM2都能让您轻松实现更高的功率密度和更出色的热管理，助您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STW24N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW24N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。