我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP8NK85Z现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？让STP8NK85Z来为您轻松化解！这颗来自ST意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，是您驾驭高达850V电压平台的得力助手。

它拥有6.7A的连续漏极电流能力和仅1.4欧姆的低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。其优化的栅极电荷特性，还有助于提升开关速度，减少开关损耗，从而全面提升系统能效。采用坚固的TO-220AB封装，散热能力强，安装简便，是您构建可靠、高性能功率电路的理想选择。

• 型号:STP8NK85Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:850 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 3.35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8NK85Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。