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STGAP2HSMTR 零件图片(仅供参考)

STGAP2HSMTR
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STGAP2HSMTR 规格参数

您是否希望为您的功率开关器件找到一个既安全又强劲的“指挥官”?STGAP2HSMTR正是这样一款出色的单通道隔离栅极驱动器。它采用先进的容性耦合技术,为您提供高达5000Vrms的可靠电气隔离,有效保护低压侧控制电路免受高压侧干扰,让您的系统设计从根本上更加安全。

这颗芯片能为您做什么?它能让您轻松驾驭大功率MOSFET或IGBT。其高达4A的拉电流和灌电流输出能力,确保开关快速且干净利落,显著提升系统效率。同时,它拥有极快的响应速度(传播延迟≤90ns)和出色的抗干扰性(共模瞬变抗扰度≥100V/ns),让您的控制信号在复杂噪声环境中依然精准无误,是实现高效、高可靠性电机驱动、电源转换等应用的理想选择。

  • 型号:STGAP2HSMTR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SO
  • 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
  • 描述:DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:容性耦合
  • 通道数:1
  • 电压 - 隔离:5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值):100V/ns
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):90ns,90ns
  • 脉宽失真(最大):20ns
  • 上升/下降时间(典型值):30ns,30ns
  • 电流 - 输出高、低:4A,4A
  • 电流 - 峰值输出:4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
  • 电压 -输出供电:3V ~ 5.5V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 认证机构:UL
  • STGAP2HSMTR,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGAP2HSMTR 基本参数:

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