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STD96N3LLH6 零件图片(仅供参考)

STD96N3LLH6
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STD96N3LLH6 规格参数

想象一下,一颗芯片就能让您的大电流开关应用脱胎换骨。STD96N3LLH6正是这样一款利器,它专为高效功率转换而设计。凭借其极低的4.2毫欧导通电阻,它能大幅减少导通损耗,让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能,直接提升终端产品的续航和可靠性。

这颗芯片能为您做什么?它让您轻松驾驭高达80A的连续电流,其快速的开关特性(低栅极电荷)能显著优化高频电路的效率。无论是用于同步整流、负载开关还是DC-DC转换,STD96N3LLH6都能提供稳定强悍的性能,帮助您简化散热设计,实现更紧凑、更高功率密度的解决方案,助您高效攻克设计挑战。

  • 型号:STD96N3LLH6
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.2 毫欧 @ 40A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):20 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2200 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):70W(Tc)
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • STD96N3LLH6,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD96N3LLH6 基本参数:

  • 电子零件型号:STD96N3LLH6
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STD96N3LLH6的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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