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STD12NF06LT4 零件图片(仅供参考)

STD12NF06LT4
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STD12NF06LT4 规格参数

还在为开关损耗和散热问题头疼吗?让STD12NF06LT4来为您解决!这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET,是您实现高效功率控制的秘密武器。它能在60V电压下稳定输出12A电流,凭借低至100毫欧的导通电阻,显著降低功耗和温升,让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用坚固的DPAK表面贴装封装,节省空间的同时确保了优异的散热性能。无论是用于电机控制、电源转换还是负载开关,STD12NF06LT4都能让您轻松应对,其快速的开关特性和宽泛的工作温度范围(-55°C ~ 175°C),更是为产品在复杂环境下的可靠性提供了坚实保障。选择它,就是为您的设计选择了一份高效与安心。

  • 型号:STD12NF06LT4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):100 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值):±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):350 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):42.8W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • STD12NF06LT4,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD12NF06LT4 基本参数:

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