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还在寻找那颗能兼顾高压、大电流与高效率的“全能型”功率开关吗？STL33N60M2就是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET专为 demanding 应用而设计，其600V的漏源电压和22A的连续电流能力，让您轻松驾驭从工业电源到新能源逆变器的各种高压大功率场景。

它的核心价值在于极致的能效表现。得益于MDmesh II Plus技术，它实现了惊人的135毫欧超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关性能，进一步提升了整体效率。采用紧凑的PowerFlat HV封装，它不仅为您节省电路板空间，其卓越的散热设计更能保障在高功率下的长期稳定运行，是您提升产品功率密度和可靠性的不二之选。

• 型号:STL33N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 22A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:135 毫欧 @ 10.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL33N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。