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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与强韧性的功率开关芯片吗？STGWA20H65DFB2正是为您而来的解决方案。它集650V高耐压、40A大电流与先进的沟槽场截止技术于一身，核心使命就是大幅降低您的系统损耗。

这颗芯片能让您轻松实现更高功率密度的设计。其低至2.1V的导通压降和优化的开关特性（开启16ns/关断78.8ns），意味着更少的热量产生和更高的开关频率能力，从而让您的电机驱动更安静、逆变器转换效率更高。高达175°C的结温工作范围，确保了它在恶劣环境下依然稳定可靠。

选择STGWA20H65DFB2，就是选择了一份从容。它采用业界通用的TO-247-3封装，让您的散热设计与生产安装都变得高效而简便，助您快速将高性能、高可靠性的产品推向市场。

• 型号:STGWA20H65DFB2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:147 W
• 开关能量:265J（导通），214J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:56 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns
• 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):215 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA20H65DFB2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。