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还在为高压大电流应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STFW42N60M2-EP正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和34A的电流承载能力，其核心魅力在于极低的87毫欧导通电阻。这意味着它能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽，直接将电能更多地转化为有用功，而非令人头疼的热量。

更值得一提的是，其优化的开关特性（如仅55nC的栅极电荷）让开关过程又快又干净，有效削减了开关损耗，使您能够轻松提升工作频率，从而采用更小尺寸的被动元件，实现系统的小型化与轻量化。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子般的紧凑设计，STFW42N60M2-EP都能助您一臂之力，可靠地提升产品性能与市场竞争力。

• 型号:STFW42N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW42N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。