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还在为射频功率放大器的核心器件选型而犹豫吗？让PD55025STR-E来为您解决难题！这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频功率MOSFET，专为高效、高功率射频应用而优化。

它能让您在500MHz的中心频率下，轻松获得高达25W的稳定射频功率输出。凭借14.5dB的优秀增益和40V的额定电压承受能力，它能显著简化您的驱动级设计，提升整个发射链路的效率与可靠性。其PowerSO-10封装确保了出色的散热性能，让您的设备即使在持续大功率工作时也能保持稳定运行。

• 型号:PD55025STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:14.5dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:25W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD55025STR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。